Toshiba: NAND-Flash ist komplett ausgereizt

Laut Toshiba, welche 1989 selbst die Technik eingeführt haben, mache die Entwicklung gängigen NAND-Flash-Speichers keinerlei Sinn mehr. Weitere Verkleinerungen der Fertigungsprozesse oder Optimierungen der Technik will man sich deswegen sparen. Andere Firmen sollen bereits ähnliche Strategien planen. Stattdessen will man nur noch 3D-NAND forcieren, auch bekannt als “Floating Gate Flash”. Scott Nelson, Toshibas Vizepräsident für das Speicher-Geschäft, erklärt, dass man 2D-NAND allerdings weiterhin verkaufen werde. Es gebe immer noch Anwendungsgebiete.

Aus ökonomischer Sicht mache allerdings die Verkleinerung der Fertigungsprozesse auf weniger als 15 Nanometer keinen Sinn mehr. Damit endet die Entwicklung des planaren NAND-Flash-Speichers. Samsung dürfte ähnlich verfahren wie Toshiba: Die Südkoreaner hatten bereits 2013 ihren ersten V-NAND mit 32 Layern und der sogenannten “Charge Trap Flash (CTF)” Technik vorgestellt. Intel und Micron entwickeln ebenfalls 3D-NAND mit 32 Layern, basierend auf Floating-Gate-Speicher-Zellen. Zudem haben die Hersteller in Kooperation die neue Speicher-Technik 3D XPoint angekündigt. Jene kann 3D-NAND allerdings nicht ersetzen, sondern ist vielmehr eine Ergänzung. So ist 3D XPoint zwar extrem leistungsfähig, aber auch in der Produktion sehr kostspielig. Darum will Intel 3D XPoint zwischen DRAM (schneller aber noch teurer) und 3D-NAND (günstiger aber auch langsamer) am Markt platzieren.

Auch Siva Sivaram, Executive Vice President bei SanDisk, stimmt Toshiba zu: “Unser Fokus liegt aktuell auf 3D-NAND. Wir werden keine 2D-Produkte mehr entwickeln.”

Quelle: ComputerWorld